枯木 发表于 2015-5-25 05:05 AM

请教大家一个H桥驱动问题，总是烧MOS管

我设计了一个PWM驱动电路，受限单极式的，输入一个方向控制和PWM控制。光耦使用4N25，MOSFET为IRFP4710。驱动一个音圈直流直线电机。在使用IR2101时，发现高端和低端同时使用时，总有问题，所以只使用了低端驱动。电路见<br>附件，调试过程中发现Q2和Q3很容易烧掉，实际需要最大电流为30A,但是发现在通4A电流时就烧管了，不知道为什么，请高手指点。<br>不知道这几个问题是否会影响：<br>1.使用的电机驱动电源为开关电源<br>2.4N25和逻辑器件产生的延时<br>3.IRFP4710的体二极管是否能作为续流二极管使用<br>4.在我的控制程序中使用了PID控制，方向信号和PWM信号变化比较频繁。                                                                                                                                                                       

lampson 发表于 2016-4-12 10:36 AM

把<br>附件的内容直接贴上来。相信很多人会懒得去打开<br>附件。                                                                                                                                                                       

WoodPecker 发表于 2016-4-12 11:25 AM

同问，有清楚的指导指导                                                                                                                                                                       
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