烽火社区

标题: PN结反向扩散电流与PN结反向(漏)电流的区别是什么??? [打印本页]

作者: echo2005    时间: 2015-12-13 07:26 AM
反向扩散电流...看资料上好像是给二极管加的反向电压...二极管所产生的饱和电流就为IS...

反向漏电流好像和这个一样...哈哈...

有空找找资料看看...

郁闷...
作者: 济公    时间: 2015-12-13 08:40 AM
标题: PN结反向扩散电流与PN结反向(漏)电流的区别是什么???
PN结反向扩散电流与PN结反向(漏)电流的区别是什么???
从资料中知道一句话:
饱和电流IS是二极管模型中最重要的参数,其物理本质是PN结反向扩散电流。该值远小于PN结反向(漏)电流, 所以才想到问这句话,相请各位师傅帮忙,也可以介绍点相关好资料.....
作者: 济公    时间: 2015-12-13 08:56 AM
呵呵,我查查                                                                                                                                                                       
作者: 济公    时间: 2015-12-18 09:25 AM
如果光知道字面意义而不能理解它的实际含义是不能建模的.......甚至连改模都不行.....                                                                                                                                                                       
作者: ivesx    时间: 2015-12-19 09:44 AM
另一个问题是:饱和电流与传输饱和电流有没有区别呢??



同样是IS,对二极管是饱和电流,对三极管说成了是传输饱和电流了.....又该如何理解呢?

因为对模型参数不理解,到仿真不收俭,或者要改一些模型参数时就仿真不下去了....
作者: 济公济公    时间: 2015-12-22 04:47 AM
IS既然是PN结的反向扩散电流,就应该是越小越好的,如果理解为最大工作电流那么就是越大越好了.........                                                                                                                                                                       
作者: 济公    时间: 2015-12-24 08:21 AM
没下文了,我也一直还没有弄清楚,虽然去过几个论坛问过,都是没有回复...                                                                                                                                                                       
作者: 济公    时间: 2015-12-30 10:25 AM
反向饱和电流:PN结,加反偏压(未击穿),P中极少的电子克服势垒,进入耗尽区,然后在电场的作用下迅速进入N侧。同理,N中也有空穴克服很高的势垒进入耗尽区,再由电场扫入P侧。由于导电的是(P中的电子,N中的空穴),所以,这个电流很小,且与电场无关,只与少子的数量有关,且决定于P、N掺杂浓度小的一侧。可以很容易查到公式反向饱和电流公式,这里不好编辑,呵呵

我认为少子进入耗尽区是扩散,且只有高能的,才能克服势垒。之后是电场下的漂移。所谓饱和电流,就是这个电流与电场大小无关,只于少子的数量有关。



(以下内容本人不确定,仅是猜测,仅用于抛砖引玉) {{{{但实际中,各种各样的影响,如光照的光电效应,如高掺杂下P+N+在反向电压下的隧道效应,也可能在耗尽区某个Carrier有很高的能量碰撞出了新的Carrier。。。。。这些电流和上面提到的反向饱和电流一块,表现为反向的漏电流,这个电流可能会跟随电压有些许的变化,如反向电压加强,耗尽区会变窄,隧道效应就会加强}}}}
作者: wang1jin    时间: 2015-12-30 12:41 PM
我平时用的模型,二极客三极管,全是用反向饱和电流,平时也是混淆这两个概念的。我认为一般不用考虑其它影响的,只考虑少子的数量,也就是掺杂的浓度,或许我没有接触过需要考虑的问题吧。                                                                                                                                                                       
作者: ivesx    时间: 2015-12-30 03:02 PM
1[attach]3633[/attach]
[attach]3634[/attach]
2


有谁知道Vt是什么参数吗?
作者: wang1jin    时间: 2015-12-30 04:38 PM
从方程可能看出IS是三极管电流的一个重要参数.....但不是唯一的!


作者: wang1jin    时间: 2015-12-30 05:11 PM
点击开大图
作者: echo2005    时间: 2015-12-30 06:32 PM
通过几天来的补习,我认为IS只是等于Icb0;

而VAF才是VCE0就是最高管耐压;

而IKF才是ICE0最大管电流;

BF是放大倍数没错了,

不知各位师傅有没有别的看法呢?

从公式中可能知道,漏电流是IS的(1+@)倍.就是三极管当B基开路,而CE有电压时所具有的二种电流:Icb0与Ice0
作者: ivesx    时间: 2015-12-30 08:43 PM
对与二极管而言,是没有ICE0的,所以它只有这一个IS扩散电流了.同样是IS,但在这点上的做用就有不同,对三极管而言,有IS的存在就会有一个(1+@)倍的ICE0漏电流存在....

所以IS是越小越好的!一般好的管都是1E-16..........
作者: 济公济公    时间: 2015-12-30 11:09 PM
没有人有异议吗?                                                                                                                                                                       
作者: echo2005    时间: 2015-12-31 01:08 AM
都不想发表意见了....                                                                                                                                                                       




欢迎光临 烽火社区 (http://bbs.cnecport.com/) Powered by Discuz! X3.2