安森美低/中压MOSFETs 主要优势

irving_liu

安森美半导体低/中压MOSFETs主要优势体现在工艺和技术两个方面。 Low Voltage Silicon Roadmap 分析：上图表明安森美半导体低压MOSFETs设计技术及制造工艺，自2007年后，获得长足的进步。漏极源极通态电阻RDS(on)，总栅极电荷量都有明显降低。2012年采用HD Trench工艺的MOSFET与2007年Trench 2.6工艺的MOSFET相比，在漏极源极通态电阻都为4毫欧姆的情况下，总栅极电荷量，已从20nC降低到了10nC;在总栅极电荷量都为20nC的情况下，漏极源极通态电阻从4毫欧姆降低到了2毫欧姆。 同时，我们也可以看出，栅极电荷量小，相应的通态电阻就会变大；通态电阻小，相应的栅极电荷量就会变大，这不是偶然的，这是由MOSFETs的制造工艺决定的。所以我们在选型一个MOSFET器件的时候，要综合分析，如果开关频率不高，那么通态电阻可能是主要的选型依据；如果开关频率很高，那么总栅极电荷量就是主要需要考虑的方面。同时这些也与控制器的驱动能力，即 Sink/Source 电流的能力密切相关。 通态电阻及总栅极电荷量是恒量 MOSFETs 性能的两个最重要的参数。通态电阻决定了 MOSFETs 工作时的导通损耗，总栅极电荷量决定了MOSFETs工作时的开关损耗。有损耗就牵涉到器件散热问题，这就与器件封装直接相关联。 封装Roadmap表明，在传统的TO-220，D2PAK，IPAK，DPAK，SOIC-8封装发展到SO8FL，u8FL，WDFN封装，直到最新的 TO-220FP，SO8FLD，u8FLD，SO8FL TE封装，封装越来越趋于小型化，尺寸越来越小，厚度越来越薄，但这并不是以牺牲散热性能为代价，安森美半导体创新的工艺，使得体积越来越小的同时，器件散热性能也越来越好，热阻越来越低。   MOSFET Power Package Roadmap 分析：从结点到顶盖的热阻，从SO8FL的22ºC/W,降低到了SO8FL TE的7ºC/W，也就是说在外部散热环境相同的情况下，在1W的功耗下，SO8FL TE的顶盖温升最大可能会降低15ºC。这还不足以表达SO8FL TE封装的强大，SO8FL TE还可以通过散热片，降低顶盖到环境的热阻，大幅降低芯片温升，而这是普通SO8封装办不到的。 SO8FL TE 封装特性 从结点到顶盖的热阻，从SO8FL的22ºC/W,降低到了SO8FL TE的7ºC/W 1mm厚度,允许两端散热 封装的顶部是电气隔离的，这样几种封装，能够通过同一散热片散热   HSVR: High Side Voltage Regulation HSVR改善了控制侧信号质量 优化的高端侧开关的设计，减少了开关期间的振荡，降低了开关关断时候负电压尖峰 改善了信号质量，降低了损耗   LSVR: Low side Voltage Regulation 下一代低端侧器件 所有器件集成了肖特基二极管 通过优化低端侧性能，效率最高化