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标题: 请教大家一个H桥驱动问题，总是烧MOS管 [打印本页]

作者: 枯木 时间: 2015-5-25 05:05 AM
标题: 请教大家一个H桥驱动问题，总是烧MOS管
[attach]64[/attach]我设计了一个PWM驱动电路，受限单极式的，输入一个方向控制和PWM控制。光耦使用4N25，MOSFET为IRFP4710。驱动一个音圈直流直线电机。在使用IR2101时，发现高端和低端同时使用时，总有问题，所以只使用了低端驱动。电路见
附件，调试过程中发现Q2和Q3很容易烧掉，实际需要最大电流为30A,但是发现在通4A电流时就烧管了，不知道为什么，请高手指点。
不知道这几个问题是否会影响：
1.使用的电机驱动电源为开关电源
2.4N25和逻辑器件产生的延时
3.IRFP4710的体二极管是否能作为续流二极管使用
4.在我的控制程序中使用了PID控制，方向信号和PWM信号变化比较频繁。

作者: lampson 时间: 2016-4-12 10:36 AM
把
附件的内容直接贴上来。相信很多人会懒得去打开
附件。

作者: WoodPecker 时间: 2016-4-12 11:25 AM
同问，有清楚的指导指导

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