Skyworks 高级技术总监David在“Front End Power Management for the Next Generation”的演讲中表示,不断进化的单元系统正在驱动带宽更宽,提升波峰因素以及高平均功率。APT和ET架构在一个广泛的平均功率上提供了提高系统效率的方法。复杂的ET系统需要重要配置以及刻度要求。联合设计的功率管理和PA系统在优化性能上远超ET的效率。
Veeco Somit Joshi在“用于提高功率器件性能的硅基氮化镓MOCVD进展”的演讲中表示,新兴的中/高电压应用在电力供应,替代能源以及数据中心,都需要更高的功率效率,满足较高的工作温度以及更小的系统规模。氮化硅在这些参数上远远好于硅。随着MOCVD外延生长GaN材料在硅衬底的发展,硅在经济上可行的替代方案已经出现。为了满足系统的产量水平,可靠性和成本目标,行业需要MOCVD工艺支持优异的膜均匀性、运行控制、杂质控制、低缺陷、高正常运行时间的特性。他指出,针对这些要求,Veeco公司已经开发出下一代的MOCVD系统基于单芯片架构,具有业界领先的性能在多个站点。
LayTec AG 的市场和销售总监 Thieme Tom在“原位检测技术电力电子制造中的早期探测应用”中,表示半导体制造是要最大程度的提高设备的性能以及寿命。同时还要确保,每个晶圆在每次运行中,所有关键参数也都是均匀的。最终的目标是外延工艺收率100%。如何精确的控制的晶圆表面温度和应变状态的层是非常重要的。原味检测可以让你知道质量如何,可以了解到生长的速度,了解到表面的,包括氮化钾中间层的粗糙程度。