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请教大家一个H桥驱动问题,总是烧MOS管

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新手上路

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发表于 2015-5-25 05:05 AM | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
我设计了一个PWM驱动电路,受限单极式的,输入一个方向控制和PWM控制。光耦使用4N25,MOSFET为IRFP4710。驱动一个音圈直流直线电机。在使用IR2101时,发现高端和低端同时使用时,总有问题,所以只使用了低端驱动。电路见
附件,调试过程中发现Q2和Q3很容易烧掉,实际需要最大电流为30A,但是发现在通4A电流时就烧管了,不知道为什么,请高手指点。
不知道这几个问题是否会影响:
1.使用的电机驱动电源为开关电源
2.4N25和逻辑器件产生的延时
3.IRFP4710的体二极管是否能作为续流二极管使用
4.在我的控制程序中使用了PID控制,方向信号和PWM信号变化比较频繁。

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新手上路

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沙发
发表于 2016-4-12 10:36 AM | 只看该作者

附件的内容直接贴上来。相信很多人会懒得去打开
附件。
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板凳
发表于 2016-4-12 11:25 AM | 只看该作者
同问,有清楚的指导指导                                                                                                                                                                       
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