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导读：改善量产时肖特基二极管出现泄漏故障的问题，一种方法是将肖特基二极管的额定电压从100 V增加到120 V,但系统温度较高时，泄电流依然是个问题。 配置背光的一种尺度方法是使用两个分立式器件： 一个接纳DPAK封装的100 V MOSFET,以及一个同样采用DPAK封装的100 V肖特基二极管。LED背光单位中，肖特基二极管的高漏电流大概会造成一些问题，尤其在较高温度下。有些人曾遇到量产时肖特基二极管出现泄漏故障的问题。改善泄漏故障的一种方法是将肖特基二极管的额定电压从100 V增加到120 V,但系统温度较高时，漏电流依然是个问题。 飞兆半导体的设计团队开辟了一种替代方法，即采用100 V BoostPak办理方案。BoostPak系列（图1{京电港论坛}）在单封装内集成两个器件： 一个100 V MOSFET和一个150 V NP二极管。
图1. BoostPak在单封装内集成100 V MOSFET和150 V NP二极管 BoostPak系列采用5引脚DPAK单封装。N沟道MOSFET针对最大水平低沉导通电阻并保持精彩的开关性能而设计。NP二极管为超快速整流器，带低正向导通压降，具有出色的开关性能。相比肖特基二极管，它具有低得多的漏电流，在高温应用中提供更高的系统可靠性。 相比双分立器件解决方案，BoostPak方案的尺寸更小，可节流多达20mm2的PCB线路板空间。使用单封装而非两个封装还意味着装配更方便、系统资本更低。 BoostPak系列提供两种版本，一种额定输出功率为25 W,另一种额定值为40 W.表1列出详细信息。
表1. BoostPak装配规格 更高温度下的性能更佳 昨们想要知道NP二极管的漏电流到底有多低，因此我们举行了一些测试。测试效果如图2{京电港论坛}所示。
图2:二极管漏电流比力 与100 V、5A肖特基二极管相比，150 V、5 A BoostPak系列NP二极管在所有条件下的额定漏电流值低得多，但两者在高温下差异极大。随着温度上升，肖特基二极管的漏电流以极快的速度增加，而相比之下NP二极管的漏电流依然较低。 BoostPak系列的NP二极管采用绝佳的生命周期控制工艺制成，以实现极快速的反向规复时间和公道的正向压降（VF（范例值）： 0.9 V,条件为 IF=5 A、TJ=100 度）
图3{京电港论坛}:对反向恢复时间进行了比较 实际设计 下一步，我们将验证BoostPak系列能够在实际设计中限制漏电流，因此我们开发了一款评估板，并在多种条件下进行测试。图4{京电港论坛}为根本设计，BoostPak系列高亮显示。
图4. LED背光中的BoostPak 该设计针对35 W升压拓扑，使用一连电流模式（CCM）利用。输入电压范围为20.4 V至27.6 V,采用单通道直流输出，恒定电流值为640 mA （55 V）。我们采用BoostPak系列的FDD8500N10LD版本。 在CCM操作期间，二极管反向恢复电流增加MOSFET的导通损耗。NP二极管提供低反向恢复电流，对MOSFET的影响更小。 测试温度与EMI 我们在设计BoostPak产物时，牢记两个目标。首先，我们希望将器件壳的工作温度保持在65℃以下。其次，我们希望满足电磁干扰（EMI）的通用规格，将EMI保持在CISPR22 B类标准规定的限值以下。 我们丈量了饱和温度。如表2所示，在24 V输入电压（VIN）的情况下，BoostPak系列温度保持在61.5℃，低于65℃的目标。
表2. VOUT= 55V （35W）时的测试结果 接着，我们通过查抄五串LED负载时的辐射量，测试EMI.图5{京电港论坛}显示VIN为24V时的结果。
图5. 辐射量： VIN= 24 V 在30 MHz至1000 MHz的子频率范围内，辐射量远低于CISPR22 B类的额定限值。 结语 测试结果显示飞兆半导体的BoostPak系列（以单个100 V BoostPak替代100 V MOSFET和100 V肖特基二极管）低漏电流二极管满足工作温度下必须的性能和EMI要求。同时，使用BoostPak系列可让设计的尺寸更小、更紧凑，而且更易于组装。在成本竞争型应用中，如屏幕尺寸小于40英寸的LED电视机，这些优势可让产品脱颖而出。BoostPak方法还可节省其他应用的成本，好比LED照明系统和升压/降压操作DC-DC转换器。 |
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