PN结反向扩散电流与PN结反向(漏)电流的区别是什么???

济公 · 发表于 2015-12-13 08:40 AM

PN结反向扩散电流与PN结反向(漏)电流的区别是什么???
从资料中知道一句话:
饱和电流IS是二极管模型中最重要的参数，其物理本质是PN结反向扩散电流。该值远小于PN结反向(漏)电流，所以才想到问这句话,相请各位师傅帮忙,也可以介绍点相关好资料.....

echo2005 · 发表于 2015-12-13 07:26 AM

反向扩散电流...看资料上好像是给二极管加的反向电压...二极管所产生的饱和电流就为IS...

反向漏电流好像和这个一样...哈哈...

有空找找资料看看...

郁闷...

济公 · 发表于 2015-12-13 08:56 AM

呵呵，我查查

济公 · 发表于 2015-12-18 09:25 AM

如果光知道字面意义而不能理解它的实际含义是不能建模的.......甚至连改模都不行.....

ivesx · 发表于 2015-12-19 09:44 AM

另一个问题是:饱和电流与传输饱和电流有没有区别呢??

同样是IS,对二极管是饱和电流,对三极管说成了是传输饱和电流了.....又该如何理解呢?

因为对模型参数不理解,到仿真不收俭,或者要改一些模型参数时就仿真不下去了....

济公济公 · 发表于 2015-12-22 04:47 AM

IS既然是PN结的反向扩散电流,就应该是越小越好的,如果理解为最大工作电流那么就是越大越好了.........

济公 · 发表于 2015-12-24 08:21 AM

没下文了,我也一直还没有弄清楚,虽然去过几个论坛问过,都是没有回复...

济公 · 发表于 2015-12-30 10:25 AM

反向饱和电流：PN结，加反偏压(未击穿)，P中极少的电子克服势垒，进入耗尽区，然后在电场的作用下迅速进入N侧。同理，N中也有空穴克服很高的势垒进入耗尽区，再由电场扫入P侧。由于导电的是(P中的电子，N中的空穴)，所以，这个电流很小，且与电场无关，只与少子的数量有关，且决定于P、N掺杂浓度小的一侧。可以很容易查到公式反向饱和电流公式，这里不好编辑，呵呵

我认为少子进入耗尽区是扩散，且只有高能的，才能克服势垒。之后是电场下的漂移。所谓饱和电流，就是这个电流与电场大小无关，只于少子的数量有关。

(以下内容本人不确定，仅是猜测，仅用于抛砖引玉) {{{{但实际中，各种各样的影响，如光照的光电效应，如高掺杂下P+N+在反向电压下的隧道效应，也可能在耗尽区某个Carrier有很高的能量碰撞出了新的Carrier。。。。。这些电流和上面提到的反向饱和电流一块，表现为反向的漏电流，这个电流可能会跟随电压有些许的变化，如反向电压加强，耗尽区会变窄，隧道效应就会加强}}}}

wang1jin · 发表于 2015-12-30 12:41 PM

我平时用的模型，二极客三极管，全是用反向饱和电流，平时也是混淆这两个概念的。我认为一般不用考虑其它影响的，只考虑少子的数量，也就是掺杂的浓度，或许我没有接触过需要考虑的问题吧。

ivesx · 发表于 2015-12-30 03:02 PM

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有谁知道Vt是什么参数吗?

PN结反向扩散电流与PN结反向(漏)电流的区别是什么???

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