安森美低/中压 MOSFETs 产品简介

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MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 全称金属氧化物半导体场效应管，它的三个极分别是源极(S)、漏极(D) 和栅极(G)。依据其通道极性的不同，可分为 N 沟道及 P 沟道 MOSFET，通常称为 NMOSFET 及 PMOSFET。

安森美半导体提供 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，用于电源转换和负载开关电路。安森美半导体 MOSFET 型号达到 1000 种以上，适合不同应用的几十种封装形式，TO-92，SO-8，SO-8FL,TO-220，DPAK，D2PAK 等。品种系列齐全，单 N 沟道，单 P 沟道，双 N 沟道，双 P 沟道，N/P 沟道组合，双 N 沟道与肖特基二极管组合等。安森美半导体低/中压 MOSFET 适合母线电压为 5V、12V、24V、48V 电源转换和开关电路。漏极电流可达到 100A，特别适宜于电机驱动电路。安森美半导体 MOSFET 的漏极-源极通态电阻 rDS(on) 低，提高了功率转换效率，降低了导通损耗，安森美半导体MOSFET的总栅极电荷量 Qg 低，减少了开关损耗。安森美半导体MOSFET，按照漏极源极击穿电压等级，30V 以下的定义为低压 MOSFETs，40-100V 的定义为中压MOSFETs，100V 以上的定义为高压 MOSFETs。

安森美半导体 HSVR 系列与 LSVR 系列，专为同步降压控制器中的高端 MOSFET 和低端 MOSFET 而优化设计，优势明显：高效率，散热良好，电磁干扰低。

安森美半导体中压 MOSFETs，具有极高的额定电流值及极低的漏极-源极通态电阻，非常适合于电机驱动及作为负载开关。