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ROHM旗下蓝碧石半导体开始量产

2017-12-2 11:33 AM| 发布者: 半山丶先生| 查看: 202| 评论: 0

摘要:   ROHM团体旗下蓝碧石半导体面向需要高速高频率的日志数据获取和告急时高速数据备份的智能仪表/计量设备/医疗设备/金融终端等,开辟出1Mbit铁电存储器(以下简称“FeRAM”注1)“ / MR44V100A”,并即将于2017年12 ...

   ROHM团体旗下蓝碧石半导体面向需要高速高频率的日志数据获取和告急时高速数据备份的智能仪表/计量设备/医疗设备/金融终端等,开辟出1Mbit铁电存储器(以下简称“FeRAM”注1)“ / MR44V100A”,并即将于2017年12月开始量产销售。

  “”作为SPI注2总线产物,在1.8V~3.6V的宽电源电压范围内均实现40MHz的高速工作。这使得该款产物作为大容量的1Mbit FeRAM,在诸如不稳定的电源情况下的电压急剧下降时也可高速稳定工作,其高速数据备份功能有助于提高配套应用的可靠性。而“MR44V100A”作为差别的串行总线I2C注3总线产物,则非常适用于不需要速度的应用。

  别的,为了满意移动应用需求,改进了待机(待机)模式,同时还首次在蓝碧石FeRAM中搭载了睡眠(休眠)模式,以限制数据量增加导致的功耗加。在1Mbit FeRAM中分别实现了业界最小级别※的待机电流10μA(平均)和睡眠电流0.1μA(平均),使产物还可用于重视电池驱动时间的支付终端和数据记载仪等手持终端和移动设备/终端。

  目前本LSI的样品正在销售中,预计于2017年12月开始量产并批量供货。前期工序的生产基地为总部(日本京都),后期工序的生产基地为 Electronics Philippines, Inc.(菲律宾)。

  <配景>

  非易失性存储器FeRAM与EEPROM和FLASH存储器等非易失性存储器相比,具有“高速数据擦写”“耐擦写性能优异”“低功耗”等特点。

  蓝碧石半导体凝聚ROHM的铁电存储器制造技能和蓝碧石的存储器开辟技能优势,从2011年开始致力于各种容量和接口的FeRAM开辟。产物已被需要非易失且高速高频率数据擦写的多功能打印机、汽车配件、FA(Factory Automation)设备等广为接纳。

  比年来,电子设备对于数据规模增加、更低功耗、移动应用、瞬间停电等告急情况下的数据安全性提升要求越来越高。蓝碧石半导体为满意这些需求,致力于实现更大容量、更宽电源电压范围和高速工作兼备、更低功耗(包罗待机/休眠时在内)的产物,并乐成开辟出有望应用到电池驱动的移动设备/终端等的FeRAM。

  <特点>

  1.可在 1.8V~3.6V的更宽范围内40MHz工作

  FeRAM与EEPROM、FLASH存储器等非易失存储器相比,可实现高速数据擦写并低电压工作,因而具有纵然在写入过程中发生瞬间电压下降或停电,数据丢失风险也较低的特点。

  “”作为SPI总线产物,与蓝碧石以往产物64Kbit FeRAM“MR45V064B”同样在1.8V~3.6V的整个电源电压范围内确保40MHz工作,性能同等,但容量更大,达1Mbit。因而在要求高安全性的应用中,可直接处理更大规模的数据。

  2. 作为大容量FeRAM,实现业界最小级别的待机/休眠电流

  在电子设备中,低功耗要求越来越高,一般接纳好比使系统运转过程中无需工作的部件转入低电流模式,以低落设备整体平均功耗等手法来实现低功耗。

  在这种配景下,MR45V100A / MR44V100A通过以下特点来低落电子设备的系统功耗,抑制数据量增加导致的功耗加。

  ① 改进待机模式,实现1Mbit FeRAM中业界最小级别的10μA待机电流

  待机(Standby)模式时彻底关断无需工作的电路的电源,当工作规复时仅所需部门快速初始化,从而有效抑制住电流消耗。由此实现了平均10μA的1Mbit FeRAM中业界最小级别※的待机电流。

  ② 搭载睡眠模式,实现业界最小级别的0.1μA睡眠电流和最短睡眠模式规复时间

  ※停止2017年11月蓝碧石半导体观察数据

  蓝碧石首家搭载了比传统待机(Standby)模式功耗低几个数量级的的睡眠(休眠)模式,而且睡眠模式下的平均消耗电流仅为0.1μA,属于业界最小级别※。不但如此,从睡眠模式的规复时间仅为100μs,为业界最短※,从而在希望休眠时间要短的应用中也可适用睡眠模式。

  【规格概要】

  【销售筹划】

  -商品名 :MR45V100A / MR44V100A

  -样品出售时间 :样品销售中

  -样品代价(参考) :700日元(不含税)

  -量产出货筹划 :2017年12月开始

  【应用范畴】

  OA设备、工业设备、广播设备、汽车配件、医疗设备、电池驱动设备

  【术语讲授】

  (注1) FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

  铁电存储器。一种纵然断电也可生存存储数据的非易失性存储器,存储元件接纳铁电电容。具有高速数据擦写、耐擦写性能优异、低功耗的特点。

  (注2) SPI(Serial Peripheral Interface)

  一种使用3条线(时钟线、输入数据线、输出数据线)举行通信的串行通信尺度。数据格式和原理更简朴,因此可举行高速通信。

  (注3) I2C(Inter-Integrated Circuits)

  一种使用2条线(时钟线和输入输出兼用数据线)举行通信的串行通信尺度。因输入输出兼用而相应引脚数较少,但速度不及SPI。

技能资料出处:捷配电子市场网
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