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IR发布全新第八代1200V

2017-12-2 12:29 PM| 发布者: 半山丶先生| 查看: 393| 评论: 0

摘要:   全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出新一代绝缘栅双极晶体管(IGBT)技能平台。全新第八代(Gen8)1200VIGBT平台适用于符合行业尺度的TO-247封装,并接纳IR ...

  全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技能平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台适用于符合行业尺度的TO-247封装,并接纳IR新一代沟道栅极场停止技能,为工业及节能应用提供卓越性能。

  全新的Gen8组件提供从8A到高达60A的电流额定值,加上1.7V典范VCE(ON) 和10μs短路额定值,能够淘汰功耗,有效增加功率密度并带来卓越的耐用性。

  IR亚太区销售副总裁潘大伟表现:“IR通过开辟全新基准技能及顶尖的IGBT硅平台,彰显其数十年来致力提升功率电子技能的答应。昨们期望为所有电动马达实现百分百变频,从而更有效地使用电能,而且绿化情况。”

  新技能为电机驱动应用提供更抱负的软关断功能,通过只管低落dv/dt来淘汰电磁干扰和过压情况,有助于提升可靠性及耐用性。该平台的参数分布狭窄,在举行多个IGBT并联时便可带来精彩的电流分配。薄晶圆技能则改善了热阻,还可到达175°C的最高结温。

  潘大伟指出:“IR的Gen8 IGBT平台旨在为工业应用提供卓越的技能。该IGBT平台凭借顶尖的VCE(ON)、卓越的耐用性及顶级的开关功能,使工业市场合面对的难题迎刃而解。”

  产物现正担当批量订单。新器件符合电子产物有害物质管制规定 (RoHS)。

  规格

技能资料出处:电子技能设计
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