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意法半导体（STMicroelectronics,简称ST的最新超结 （super-junction） 功率MOSFET满意家电、低能源照明系统以及太阳能微逆变器厂商对电源能效的要求，同时提供更高可靠性的最新且满意高功率密度的封装。 MDmesh M2系列产物拥有最新最先进的超结晶体管技能，取得了比上一代产物更低的导通电阻 （RDS（ON）），以及更低的栅电荷量 （QGD）和输入/输出电容（Ciss/Coss）。别的，这些产物更进一步低落了能耗和热耗散（heat dissipation），让开辟人员能够设计出更高效的电源。
同时，与市场现有产物的600V典范击穿电压相比，意法半导体的新产物将该参数提高至650V，确保新产物具有更高的安全系数，让设备厂商能够设计更稳健且更可靠的电源系统。 新系列产物还增加了一款接纳外貌贴装封装的PowerFLAT 5x6 HV高压产物，虽然封装外貌积和厚度都很小，但热效率和电流处理能力俱佳。筹划于2015年第1季度投入量产的PowerFLAT 5x6 HV 封装可有效提高功率容量，助力设备厂商研制尺寸更小的下一代产物，且在实现输出功率变得更高的同时，不会影响其工作可靠性。 MDmesh M2 MOSFET的目标应用包罗条记本电脑、打印机和游戏机等设备的外接电源，以及电视机和音响系统的内部电源。3W~25W单排以及大功率多排LED灯引擎驱动器也将受益于新产物的高热效和高性能。PowerFLAT 5x6 HV封装是太阳能微逆变器的抱负选择，为尺寸精良的家用和商用逆变器模块带来MDmesh M2产物的能效优势。 22 MDmesh M2 650V MOSFET现已上市，最大额定电流范围为4A至11A,最低导通电阻RDS（ON）降至0.360Ω。STD6N65M2接纳D2PAK封装。 技能资料出处:京电港论坛
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