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2012年，Spansion公司宣布其首个单层单位（SLC）系列NAND闪存产物开始出样，并同时公布了未来五年的技能规划图：包罗将接纳4x nm浮栅技能的1Gb到8Gb SLC NAND办理方案，在2012年底升级至3x nm浮栅技能，并在2014年升级至2x nm。 两年已往了，Spansion日前简直又推出了新的NAND闪存产物。不外，此番推出的NAND产物并非是规划中宣称的20nm SLC NAND产物，而是面向消费、通信和工业设备市场的工业级e.MMC NAND闪存系列。 Spansion NAND闪存产物营销及业务拓展总监Touhid Raza先生对此表明说，公司原本的筹划简直是在2014年底推出第三代20nm SLC NAND产物，但出于商业上的思量，Spansion取消了这一筹划，将制程工艺重新调解为32nm,并会根据市场需要在该底子上继承推进。
Spansion e.MMC S4041-1B1闪存接纳高密度的MLC NAND,提供8GB和16GB存储密度，工作温度范围为-40度到+85度，可配置为多种模式。Touhid Raza强调称，新产物更多思量到了嵌入式市场的需求特点，包罗使用寿命恒久，具备自我监测和报告、突然掉电掩护、存储器诊断工具包等功能。 详细而言，该系列产物支持JEDEC e.MMC 4.51指令集以及现场固件升级、康健自我监测、自动背景运行等e.MMC 5.0功能；严格的突然掉电测试可确保在掉电发生时为数据提供最高品级的掩护；而内置诊断、分析、配置和编程功能的存储器诊断工具，则能够简化配置和e.MMC的验证，资助工程师缩短存储器验证周期。 出于本钱因素，NAND、SLC NAND和e.MMC有着差别的应用范畴：存储密度1GB以下，NAND闪存更受青睐；1GB-16GB,用户通常选择SLC NAND；而16GB以上e.MMC则更为符合。Touhid Raza认为，相比SLC NAND产物，e.MMC在NAND闪存底子上增加了一个控制器，用以实现新增性能优化、坏块管理，以及磨损平衡等内存管理功能，最后再以JEDEC尺度举行BGA封装，占用主机资源更少，易用性更强。另一方面，SLC NAND产物密度较低（≤2GB），而e.MMC密度更高（≥4GB），本钱效益更高。且随着NAND技能的不停更新，SLC NAND接口需相应升级，而e.MMC方案却不需要对接口举行太多改变。 8GB和16GB版本的S4041-1B1现已投入量产，封装选项包罗153 BGA （0.5mm球间距）和100 BGA（1.0mm球间距），温度范围选项包罗-25到+85度，以及-40到+85度。未来，Spansion还将连续推出4GB、32GB和64GB版本。 技能资料出处:京电港论坛
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