有人熟悉调频收音机芯片吗？请教几个问题.

lyyao

本人正在做一块调频收音机芯片，对其中的器件有点疑问。

1 电容做在阱里和做在衬底上有什么不同的用处呢？

2 专门用第二层多晶做栅的mos管，倒比来做电阻用，有什么好处呢？

3 一些mos器件，特别是数字单元中，都没有阱接触，而是源漏的一端直接打在阱或衬底上，这种做法对电路的性能有什么影响吗？

希望得到大家的赐教，将不胜感激，谢谢！

lyyao

你是做逆向的？要不自己应该知道怎么回事吧。
1，电容有很多做法，这得看工艺厂商给你提供的做法，一般都有几种做法，精度不一样。
电容有很多种，结电容，mos电容，poly－poly电容，metel－metel电容，你说的是什么电容
直接用衬底做下极板 没有听说过。
2，没看懂，什么叫倒比
3，数字单元里面都有阱接触得吧，Nwell都要接到positive电源上，你说的那种源漏一端直接打到阱上，应该是模拟电路中Nmos管子B与S相连得意思吧。

lyyao

匿名的老兄，你好像一个问题也没有回答哦。


1. 电容是双多晶电容，我问的是做在衬底上和阱里的不同用途？

2 倒比管都不懂，我晕。

3 我知道是s直接打在衬底上，可是这么做有什么用意呢？

lyyao

.........................这下子哪敢回答了。。。。                                                                                                                                                                       

yangbomz

:)
没有其他意思。谢谢你的回帖！

你回帖是帮我的忙呢。谢谢啦！

匿名

1,打在阱里面比打在衬底上 相对减少了衬底噪声。相当于有一个shield的作用。
也可以采用深N扩散实现阱一样的作用。用途就话，就看你要求的精度了吧，这个我同意其他人的观点，你要求精度高，那就放到阱里面，否则，就直接达到衬底上。
2， 一般都用第一层多晶硅作gate吧。第二层作电阻，电容的上极板。你这个倒比什么意思，我也没看懂，能不能解释清楚一些。
3，数字电路中 阱都要接到一个固定电平阿，这样防止正向导同， 你的S直接接到衬底上，如果衬底是固定一个点位，S也是一个固定点位，就这个用意把赫赫

sodis

谢谢huaming.

倒比的意思是w/l小于1，因为一般用于放大的mos官都是w/l大于1的。所以。。。。。

难道你们都不这么说吗？那你们怎么称呼这种器件呢？

匿名

我没有用过mos搭的电阻，所以对倒比概念不太清楚。
w/l小于1的一般都是用在什么场合的？w/l小 作出来的mos电阻大 这倒是符合实际的。
你碰到的mos管子搭成的电阻都是w/l小于1的吗？
我想对于第二个问题，mos搭的电阻比较大，而且相对别的东西搭的电阻相对面积小的多，当然精度也不是特别好。

yangbomz

如果连到比管都不知道，那就有问题了，如果想知道有什么区别
用spectre or hspice仿真一下，看看输出波形就知道为什么了。
我记得FM，目前就两款：一是：philips TEA5767 二是：三洋的LV24000
不知你们抄的是哪一款？
使用的工艺，如果我让我猜猜的话是不是chart 0.6um RF.
我们老板想让我做，我一直不想做，关键是测试什么的一大堆东西，难搞定呀

lyyao

如果想交流的话，我的qq:6386809