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全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 克日针对锂离子电池掩护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技能的一系列器件，包罗IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET。 全新功率MOSFET具有极低的导通电阻，可大幅淘汰导通损耗。产物可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高栅极驱动从12 Vgs起，非常适合包罗了两个串联电池的电池掩护电路。IRL6297SD在细密且能高效散热的小罐式DirectFET封装内提供两个接纳共漏极配置的20V N通道MOSFET。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表现：“IR拥有适合电池管理的广泛的MOSFET产物系列，提供行业尺度封装以及适合细密设计的小罐式双DirectFET封装。新器件具有低导通电阻，可替代接纳较大封装的MOSFET，从而节流电路板空间及系统本钱。” 所有新产物均不含铅、溴和卤，符合第一级湿度敏感度尺度 （MSL1） 及电子产物有害物质管制规定 （RoHS）。 产物现正担当批量订单。 规格
技能资料出处:京电港论坛
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